型号:IRFD010 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:4-DIP(0.300",7.62mm) | 描述:MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP |
系列 | HEXFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 50V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.7A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 200 毫欧 @ 860mA,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 13nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 250pF @ 25V |
功率_最大 | 1W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商设备封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
包装 | 管件 |
供应商
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