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电子元器件详细资料 » IC[20527] » IRFD010
型号:IRFD010类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:4-DIP(0.300",7.62mm)描述:MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
系列HEXFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)50V
电流_连续漏极(Id)0a025000C1.7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C200 毫欧 @ 860mA,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs13nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds250pF @ 25V
功率_最大1W
安装类型通孔
封装/外壳4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包装管件

供应商

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